Microchip Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Empaquetado
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Waffle
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 40 V - 40 V 30 mA - 100 pA 30 Ohms 360 mW - 65 C + 175 C Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 40 V - 40 V 30 mA - 100 pA 30 Ohms 360 mW - 65 C + 175 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 40 V - 40 V 15 mA - 100 pA 50 Ohms 360 mW - 65 C + 175 C Bulk
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 40 V - 40 V 15 mA - 100 pA 50 Ohms 360 mW - 65 C + 175 C
Microchip Technology Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET
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No en existencias
Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 40 V - 40 V 8 mA - 100 pA 80 Ohms 360 mW - 65 C + 175 C Bulk
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 N-Channel Single 40 V - 40 V 8 mA - 100 pA 80 Ohms 360 mW - 65 C + 175 C
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3
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Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk
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No
Si Through Hole TO-18-3
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Min.: 100
Mult.: 1
No
Si Through Hole TO-18-3 Bulk