Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
: 2,500

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Reel
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500

Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) SINGLE, LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 20 V - 40 V - 5 V 150 mA 1 nA 60 mOhms 350 mW - 55 C + 150 C 2N/PN/SST4391 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) SINGLE, LOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 20 V - 40 V - 3 V 125 mA 1 nA 100 Ohms 350 mW - 55 C + 150 C 2N/PN/SST4391 Bulk