STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Corriente CC máxima de colector
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Tensión VCBO colector-base
Voltaje VEBO emisor-base
Voltaje de saturación colector-emisor
Dp - Disipación de potencia
Producto para ganar Ancho de banda fT
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Calificación
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Silicon Trnsistr
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Audio Amplfier
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Audio Amplifier
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Silicon Trnsistr
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Audio Amplfier
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Silicon Trnsistr
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN General Purpose
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5,592En existencias
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Pwr Transistors
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 2 A 100 V 5 V 700 mV 2 W + 150 C BD239C Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Pwr Transistors
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 3 A 100 V 5 V 1.2 V 40 W + 150 C BD241C Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN General Purpose
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 15 A 100 V 100 V 5 V 3 V 90 W 3 MHz + 150 C BD911 Tube

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN High Volt Power
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Si Through Hole TO-247-3 NPN Single 30 A 450 V 7 V 800 mV 200 W + 150 C BUF420AW Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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Si Through Hole TO-220FP-3 NPN Single 4 A 450 V 12 V 1.5 V 30 W + 150 C BUL1102E Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) N Ch 550V 5A PWR TRANS
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 5 A 550 V 1.2 kV 9 V 1.5 V 100 W - 65 C + 150 C BUL1203E Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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3,317En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 5 A 450 V 10 V 1.2 V 80 W + 150 C BUL49D Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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1,037En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 NPN Single 4 A 400 V 12 V 600 mV 70 W + 150 C BUL742C Tube

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PWR BIP/S.SIGNAL
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: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN Single 2.5 A 400 V 19 V 500 mV 30 W + 150 C BULD741 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP GEN PUR SWITCH
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332En existencias
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Si Through Hole TO-220FP-3 PNP Single 10 A 80 V 5 V 1 V 36 W + 150 C D45H11FP Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LO PWR PNP PW TRANS
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5,608En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 3 A 100 V 100 V 5 V 1.2 V 15 W + 150 C AEC-Q100 MJD32CT4-A Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Automotive-grade low voltage NPN power transistor
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3,281En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 8 A 80 V 5 V 1 V 20 W + 150 C AEC-Q100 MJD44H11T4-A Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
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1,632En existencias
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: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 PNP Single 8 A 80 V 5 V 1 V 20 W + 150 C MJD45H11 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
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1,363En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 PNP Single 10 A 60 V 70 V 5 V 1.1 V 75 W 2 MHz + 150 C MJE2955T Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power
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2,002En existencias
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Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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1,623En existencias
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Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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4,964En existencias
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Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube