OptiMOS 5 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
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1,896En existencias
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Min.: 1
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: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 223 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
Hoja de datos
5,001En existencias
3,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
Hoja de datos
5,252En existencias
2,382En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
4,282En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2
Hoja de datos
1,510En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 112 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
Hoja de datos
3,179En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
1,566En existencias
2,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 100 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
4,150En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 150 V 114 A 5.6 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 61 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
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1,500En existencias
9,900En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 300 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 160 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V
Hoja de datos
225En existencias
5,000En pedido
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 30 V 700 A 350 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 91 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
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87En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000

Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 151 A - 20 V, 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Hoja de datos
219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 460 A 1.12 Ohms - 20 V, 20 V 2.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
Hoja de datos
13,136En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 1.25 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 20 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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12,103En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 122 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
Hoja de datos
5,732En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 122 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
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11,121En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 85 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
7,014En existencias
8,980En pedido
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Min.: 1
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 1.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 89 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
7,562En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 57 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
15,665En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 45 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS
Hoja de datos
5,148En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 82 A 4 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 12 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
21,478En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 98 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 35 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100VPower transistor OptiMOS 5
Hoja de datos
9,911En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 100 A 4.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 70 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
Hoja de datos
14,181En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 46 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8
Hoja de datos
4,428En existencias
20,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 27 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8
Hoja de datos
5,030En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 100 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 43 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel