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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 74

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Serie = OptiMOS 7

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

ISCH42N04LM7ATMA1
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ISCH42N04LM7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V

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$2.06

$1.71

$1.63

Envase tipo carrete

$1.53

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1 Channel

40 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

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IAUAN04S7N004AUMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, N-Ch, 0.39mohm max, Automotive MOSFET, sTOLL(7x8), OptiMOS 7

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$5.08

$3.31

$2.59

$2.17

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Envase tipo carrete

$1.89

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Enhancement

OptiMOS

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IAUAN04S7N006AUMA1
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$1.64

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Envase tipo carrete

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IAUAN04S7N007AUMA1
Infineon Technologies
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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

ISK018NE1LM7ATSA1
Infineon Technologies
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ISK018NE1LM7ATSA1

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$0.683

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$0.439

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OptiMOS

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IAUAN04S7N005AUMA1
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$2.15

$1.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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$1.22

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Enhancement

OptiMOS

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IAUCN08S7N013ATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN08S7N013ATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V, N-Ch, 1.3 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

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$4.88

$3.20

$2.40

$2.00

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

IAUCN10S7N021ATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN10S7N021ATMA1

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726-IAUCN10S7N021ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V, N-Ch, 2.1 mohm max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS 7

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$4.06

$2.66

$1.86

$1.53

Envase tipo carrete

$1.53

MouseReel Disponible

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TDSON-8

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220 A

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217 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUAN04S7N008AUMA1
Infineon Technologies
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IAUAN04S7N008AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUAN04S7N008AUM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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$3.18

$2.05

$1.46

$1.23

$1.14

Envase tipo carrete

$1.07

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HSOF-5-2

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1 Channel

40 V

290 A

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N006TATMA1
Infineon Technologies
1: $4.01
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IAUCN04S7N006TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N006TAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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$4.01

$2.63

$1.84

$1.50

$1.47

Envase tipo carrete

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3 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N024DATMA1
Infineon Technologies
1: $2.52
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IAUCN04S7N024DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024DAT

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Infineon Technologies

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$2.52

$1.62

$1.11

$0.883

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$0.774

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7N024HATMA1
Infineon Technologies
1: $1.50
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N024HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N024HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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$1.50

$1.03

$0.828

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Envase tipo carrete

$0.796

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PG-TDSON-8

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40 V

129 A

2.46 mOhms

20 V

3 V

25 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N056DATMA1
Infineon Technologies
1: $1.81
5,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N056DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N056DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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$1.81

$1.15

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$0.607

$0.526

Envase tipo carrete

$0.491

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

IAUCN08S7N036TATMA1
Infineon Technologies
1: $3.05
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN08S7N036TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN08S7N036TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

Hoja de datos

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Cinta cortada

$3.05

$1.95

$1.33

$1.11

$1.03

Envase tipo carrete

$0.966

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

LHDSO-10

N-Channel

1 Channel

80 V

129 A

3.6 mOhms

20 V

3.2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package.

ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.84
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH57N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH57N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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$3.84

$2.50

$1.91

$1.60

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Envase tipo carrete

$1.38

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

214 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $3.37
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH75N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH75N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

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$3.37

$2.17

$1.55

$1.30

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Envase tipo carrete

$1.12

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

339 A

650 uOhms

20 V

3.2 V

81 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

ISCH92N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
1: $2.96
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH92N04NM7VSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH92N04NM7VSCA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Hoja de datos

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Cinta cortada

$2.96

$1.89

$1.29

$1.07

Ver

Envase tipo carrete

$0.933

Min.: 1
Mult.: 1

: 4,000

SMD/SMT

WSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

289 A

820 uOhms

20 V

3.2 V

65 nC

- 55 C

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150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.50
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L042GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L042GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

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Cinta cortada

$1.50

$0.941

$0.613

$0.472

Envase tipo carrete

$0.364

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

77 A

4.4 mOhms

20 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.08
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N015GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N015GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

Más información disponible

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$2.08

$1.30

$0.861

$0.683

Envase tipo carrete

$0.533

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

184 A

1.53 mOhms

20 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N019GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.81
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N019GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N019GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

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Cinta cortada

$1.81

$1.14

$0.751

$0.595

Envase tipo carrete

$0.465

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

147 A

1.95 mOhms

20 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N027GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.81
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N027GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N027GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

Más información disponible

Cinta cortada

$1.81

$1.13

$0.737

$0.567

Envase tipo carrete

$0.438

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

117 A

2.67 mOhms

20 V

3 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

70 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N037GATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN04S7N037GATMA1

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726-IAUCN04S7N037GAT

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SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

91 A

3.65 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

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IAUCN04S7N047GATMA1

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726-IAUCN04S7N047GAT

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Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

79 A

4.7 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
420 uOhms
480 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
570 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1.04 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms

7.5 nC
9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
17.2 nC
18 nC
22 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
34 nC
35.2 nC

39 W
40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
94 W
96 W
98 W
107 W
115 W
118 W
123 W
130 W