Texas Instruments CSD13380F3 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3
Hoja de datos
52,606En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.6 A 76 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T
Hoja de datos
8,471En existencias
6,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 3,000

Si SMD/SMT PICOSTAR-3 N-Channel 1 Channel 12 V 3.6 A 76 mOhms - 8 V, 8 V 550 mV 1.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel