Infineon Transistores

Resultados: 4,858
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+ 23,547En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 425En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 3,342En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

MOSFETs Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 650En existencias
710En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 68,901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 33,148En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 79,850En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 7,871En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1,330En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 4,462En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package 426En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package 451En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V 3,283En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 P-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 8,493En existencias
4,990En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( 6,475En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

MOSFETs Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V SINGLE N-CH 1.4mOhms 50nC 28,923En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

MOSFETs Si SMD/SMT PQFN-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 65,912En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 265,927En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel, P-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET 24,042En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 4,390En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 6,000
MOSFETs Si SMD/SMT WHTFN-9 N-Channel
Infineon Technologies Módulos IGBT IGBT Module 200A 1700V 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Screw Mount 62 mm
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3 5,568En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3 61,344En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 630En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V 892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel