IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
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826En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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806En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY
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800En pedido
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: 800

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS IGBTs 32 Amps 1200V
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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2,094En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
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391En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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549En existencias
390En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 P-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
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260En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
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723En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET
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2,772En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
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719En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT
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287En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
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294En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Módulos MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds
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213En existencias
50En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247
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263En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET
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3En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1000V 11 Rds
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291En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole