IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds
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258En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
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262En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/60A Ultra Junction X2
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874En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A
Hoja de datos
1,378En existencias
331En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A
Hoja de datos
398En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Hoja de datos
236En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 200V 36A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
1,599En existencias
1,820En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel

IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds
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1,057En existencias
1,380En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A
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479En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220AB-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 2A N-CH POLAR
Hoja de datos
296En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
Hoja de datos
510En existencias
740En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 8 Amps 1500V
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253En existencias
290En pedido
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A
Hoja de datos
115En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
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282En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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528En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
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300En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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281En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
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659En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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2,859En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
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403En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
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2,908En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
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225En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
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745En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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515En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel