IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS IGBTs 650V/170A XPT C3-Class TO-247
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 40A IGBT
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600En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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280En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
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300En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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281En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
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659En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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2,989En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
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403En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 52 Amps 300V 0.066 Rds
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2,908En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
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235En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
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295En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
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745En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 100V 0.011 Rds
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515En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 1200V 1 Rds
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324En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
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257En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
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298En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
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1,881En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel

IXYS IGBTs 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
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195En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
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395En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
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1,407En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 62A N-CH X2CLASS
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204En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 650V 102A N-CH X2CLASS
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238En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 250V 0.035 Rds
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390En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
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4,629En existencias
2,050En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel