IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS IGBTs 20 Amps 1700 V 7 V Rds
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13En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V
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196En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 500V 0.14 Ohm Rds
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94En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch Dep Mode FET 250V
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366En existencias
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
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23En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
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113En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET
Hoja de datos
18En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds
Hoja de datos
259En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET TO220 200V 48A N-CH TRENCH
Hoja de datos
167En existencias
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET
Hoja de datos
3En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1.4 Amps 1000V 11 Rds
Hoja de datos
291En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS IGBTs XPT 600V IGBT 300A
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6En existencias
300En pedido
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Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole

IXYS IGBTs TO247 1200V 60A IGBT
Hoja de datos
180En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
Hoja de datos
32En existencias
Más información disponible
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Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel

IXYS IGBTs High Voltage IGBTs
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1En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds
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128En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.500 Rds
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64 Amps 250V 0.049 Rds
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300En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar Power MOSFET HiPerFET
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221En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 7A N-CH POLAR
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34En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 75V 0.0120 Rds
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49En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds
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4En existencias
Más información disponible
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS IGBTs TO263 1200V 30A XPT
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35En existencias
849En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
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219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
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282En existencias
Min.: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220AB-3