STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics IGBTs PowerMESH TM IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs N-CHANNEL IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 30A 600v IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
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675En existencias
600En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
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4,205En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
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695En existencias
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IGBT Transistors Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, 650 V, 50 A soft switching IH series in a TO-247 lo
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads
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950En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package
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1,015En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i
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6,337En existencias
2,000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel