STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT
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2,485En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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461En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 25 A, soft-switching IH2 series IGBT
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573En existencias
600En pedido
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1350 V, 35 A, soft-switching IH2 series IGBT
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513En existencias
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
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54En existencias
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IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
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257En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel Enhancement Mode Logic Level 40V, 1mOhm, 305A STripFET F8
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 128 mOhm typ., 20 A MDmesh M9 Power MOSFET
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
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1,060En existencias
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MOSFETs Si
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
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179En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
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828En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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82En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 40 Amp
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1,315En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 60 Amp
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441En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Power Bipolar Transistors
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9,744En existencias
4,000Se espera el 27/4/2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) LOW VOLTAGE FAST SWITCHING PNP POWER
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23,532En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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38,013En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4 PNP
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Medium Power
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8,756En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole SOT-32-3 PNP
STMicroelectronics Transistores Darlington PNP Power Darlington
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Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 FP PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Hi Vltg NPN Pwr transistor
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1,408En existencias
2,976En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 NPN

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN High Volt Power
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1,259En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) HI VLTG FAST SWITCH NPN PWR TRANSISTOR
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) NPN

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Curr High Spd
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246En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 NPN