|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STWA30N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
340En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA30N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
340En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$4.36
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA65N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.21
-
585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
585En existencias
|
|
|
$7.21
|
|
|
$5.33
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.75
|
|
|
$3.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA70N65DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$12.99
-
596En existencias
-
599En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
596En existencias
599En pedido
|
|
|
$12.99
|
|
|
$11.05
|
|
|
$9.56
|
|
|
$8.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
- STL4N10F7
- STMicroelectronics
-
1:
$0.98
-
823En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL4N10F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ., 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3
|
|
823En existencias
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.398
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.271
|
|
|
$0.233
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-3.3x3.3-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
- MJD350T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.12
-
4,615En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-MJD350T4
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
|
|
4,615En existencias
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.702
|
|
|
$0.461
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.27
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.252
|
|
|
$0.235
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
- STB34NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$10.55
-
970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
|
|
970En existencias
|
|
|
$10.55
|
|
|
$7.36
|
|
|
$6.12
|
|
|
$6.11
|
|
|
$5.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
- STD2NC45-1
- STMicroelectronics
-
1:
$0.49
-
5,369En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NC45-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
|
|
5,369En existencias
|
|
|
$0.49
|
|
|
$0.482
|
|
|
$0.478
|
|
|
$0.426
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.267
|
|
|
$0.262
|
|
|
$0.257
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
- STD5N52K3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.87
-
1,401En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
|
|
1,401En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.803
|
|
|
$0.636
|
|
|
$0.588
|
|
|
$0.541
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF11NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$1.86
-
808En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
|
|
808En existencias
|
|
|
$1.86
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF12N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.93
-
2,071En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
2,071En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.826
|
|
|
$0.658
|
|
|
$0.538
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
- STF24N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.27
-
1,166En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF24N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
|
|
1,166En existencias
|
|
|
$3.27
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
- STF28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.66
-
782En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2
|
|
782En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
- STF9N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.98
-
1,816En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF9N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
|
|
1,816En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.618
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.581
|
|
|
$0.571
|
|
|
$0.555
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
- STGIB8CH60TS-L
- STMicroelectronics
-
1:
$13.53
-
105En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIB8CH60TS-L
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 12 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
|
|
105En existencias
|
|
|
$13.53
|
|
|
$9.47
|
|
|
$7.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
SDIP2B-26
|
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
- STGIPN3H60AT
- STMicroelectronics
-
1:
$7.93
-
357En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60AT
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
|
|
357En existencias
|
|
|
$7.93
|
|
|
$5.22
|
|
|
$4.14
|
|
|
$4.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
NDIP-26
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
- STGWA15M120DF3
- STMicroelectronics
-
1:
$5.15
-
467En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA15M120DF3
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
|
|
467En existencias
|
|
|
$5.15
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.72
|
|
|
$1.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
- STL33N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.97
-
1,617En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
|
|
1,617En existencias
|
|
|
$4.97
|
|
|
$4.75
|
|
|
$3.72
|
|
|
$3.31
|
|
|
$2.83
|
|
|
$1.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
- STP19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.68
-
644En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP19NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
|
|
644En existencias
|
|
|
$3.68
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.20
|
|
|
$2.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
- STP31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.36
-
739En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
|
|
739En existencias
|
|
|
$4.36
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
- STU4N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.06
-
2,904En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU4N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
|
|
2,904En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.675
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
- STU6N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.70
-
2,970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
|
|
2,970En existencias
|
|
|
$2.70
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.957
|
|
|
$0.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
- STW18N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.28
-
687En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW18N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
|
|
687En existencias
|
|
|
$4.28
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
- 2SD882
- STMicroelectronics
-
1:
$1.28
-
3,488En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
2SD882
N.º de artículo de Mouser
511-2SD882
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
|
|
3,488En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.358
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.29
|
|
|
$0.289
|
|
|
$0.284
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
SOT-32-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
- PD55015TR-E
- STMicroelectronics
-
1:
$21.75
-
575En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015TR-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
|
|
575En existencias
|
|
|
$21.75
|
|
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$16.32
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$15.25
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$14.99
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Min.: 1
Mult.: 1
:
600
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RF MOSFET Transistors
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Si
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SMD/SMT
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PowerSO-10RF-Formed-4
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
- STB23NM50N
- STMicroelectronics
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1:
$4.83
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476En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STB23NM50N
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
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476En existencias
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$4.83
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$3.77
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$2.70
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$2.63
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$2.46
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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D2PAK-3 (TO-263-3)
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N-Channel
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