|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
- STU6NF10
- STMicroelectronics
-
1:
$1.28
-
4,939En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU6NF10
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
|
|
4,939En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.555
|
|
|
$0.504
|
|
|
$0.415
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.347
|
|
|
$0.323
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- STW28NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$7.76
-
687En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW28NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
|
|
687En existencias
|
|
|
$7.76
|
|
|
$4.72
|
|
|
$4.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW40N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$13.99
-
421En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW40N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
421En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
- STW42N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$10.14
-
529En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW42N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
|
|
529En existencias
|
|
|
$10.14
|
|
|
$6.29
|
|
|
$5.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW6N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.42
-
1,618En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW6N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
1,618En existencias
|
|
|
$3.42
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$23.06
-
240En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
240En existencias
|
|
|
$23.06
|
|
|
$18.87
|
|
|
$16.67
|
|
|
$15.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STD9N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.83
-
2,357En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD9N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
2,357En existencias
|
|
|
$2.83
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.945
|
|
|
$0.945
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
- STP80NF55-06
- STMicroelectronics
-
1:
$2.78
-
1,473En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP80NF55-06
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55 Volt 80 Amp
|
|
1,473En existencias
|
|
|
$2.78
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.03
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.895
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.825
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
- STP11NM60FDFP
- STMicroelectronics
-
1:
$3.97
-
537En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NM60FDFP
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 11 Amp
|
|
537En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
- STU6N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.61
-
45En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU6N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
|
|
45En existencias
|
|
|
$1.61
|
|
|
$0.835
|
|
|
$0.622
|
|
|
$0.518
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.431
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
- STB9NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.16
-
695En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB9NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
|
|
695En existencias
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
- STD15N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.97
-
989En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD15N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
|
|
989En existencias
|
|
|
$2.97
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.10
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD6N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.05
-
2,116En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD6N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,116En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.867
|
|
|
$0.71
|
|
|
$0.622
|
|
|
$0.565
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
- STE40NC60
- STMicroelectronics
-
1:
$39.31
-
146En existencias
-
100En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
|
|
146En existencias
100En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
ISOTOP-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
- STF14N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.81
-
784En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF14N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
|
|
784En existencias
|
|
|
$3.81
|
|
|
$2.48
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.93
-
546En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF19NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
|
|
546En existencias
|
|
|
$4.93
|
|
|
$2.54
|
|
|
$2.41
|
|
|
$2.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF4LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.29
-
1,852En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF4LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
1,852En existencias
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.80
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.709
|
|
|
$0.689
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
- STGD8NC60KDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.79
-
2,384En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD8NC60KDT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
|
|
2,384En existencias
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.764
|
|
|
$0.604
|
|
|
$0.552
|
|
|
$0.516
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
- STGIPNS3H60T-H
- STMicroelectronics
-
1:
$8.67
-
340En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS3H60T-H
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
|
|
340En existencias
|
|
|
$8.67
|
|
|
$6.59
|
|
|
$4.89
|
|
|
$3.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
400
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
NSDIP-26
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
- STGP10H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.18
-
1,861En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP10H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
|
|
1,861En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$0.964
|
|
|
$0.799
|
|
|
$0.678
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
- STH260N6F6-2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.83
-
683En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH260N6F6-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
|
|
683En existencias
|
|
|
$3.83
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.36
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-2
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
- STP13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$7.94
-
374En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
|
|
374En existencias
|
|
|
$7.94
|
|
|
$4.11
|
|
|
$3.91
|
|
|
$3.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP8N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.77
-
776En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP8N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
776En existencias
|
|
|
$3.77
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
- STU7N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.63
-
1,841En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
|
|
1,841En existencias
|
|
|
$2.63
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.931
|
|
|
$0.835
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW58N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.17
-
454En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
454En existencias
|
|
|
$10.17
|
|
|
$9.05
|
|
|
$8.21
|
|
|
$6.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|