HybridPACK Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos MOSFET HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
Hoja de datos
2En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit Module N-Channel 6 Channel 1.2 kV 500 A 1.87 mOhms - 5 V, +19 V 3.98 V - 40 C + 175 C Drive G2 Tray
Infineon Technologies Módulos MOSFET HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit N-Channel 1.4 kV 310 A - 10 V, + 23 V 4.55 V - 40 C + 175 C Drive G2 Tray