GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET

Resultados: 12
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Hoja de datos
91En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 216 A 4.6 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 444 mW SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
Hoja de datos
94En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 104 A 12.5 mOhms - 40 C + 175 C 216 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Hoja de datos
66En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 109 A 12.5 mOhms 2.7 V - 40 C + 175 C 238 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
Hoja de datos
94En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 68 A 23 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 170 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
Hoja de datos
96En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK N-Channel 1.2 kV 53 A 24 mOhms 2.2 V - 40 C + 175 C 106 W SiCPAK F Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
Hoja de datos
96En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK G Tray
GeneSiC Semiconductor Módulos MOSFET 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
Hoja de datos
96En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit SiCPAK G 1.2 kV 9.3 mOhms SiCPAK F Tray