Microchip MSC0 Serie Diodos Schottky de SiC

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Configuración If - Corriente directa Vrrm - Tensión inversa repetitiva Vf - Tensión directa Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo Ir - Corriente inversa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220 862En existencias
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Through Hole TO-220FP-2 Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 158En existencias
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Through Hole TO-247-2 Single 15 A 1.2 kV 1.5 V 109 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 10 A SiC SBD 720En existencias
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Through Hole TO-220-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 122En existencias
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Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD 703En existencias
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Through Hole TO-247-2 Single 69 A 1.2 kV 1.5 V 280 A 9 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 18En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 10 A 700 V 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD 75En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-220-2 Single 27 A 1.2 kV 1.5 V 75 A 3 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 20 A SiC SBD 35En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 43 A 1.2 kV 1.5 V 150 A 6 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247 207En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD 250En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-220-2 Single 30 A 700 V 1.5 V 146 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD 154En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 50 A 700 V 1.5 V 124 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268 65En existencias
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SMD/SMT D3PAK Single 50 A 1.2 kV 1.5 V 290 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD 108En existencias
Min.: 1
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Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.2 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268 45En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT D3PAK Single 30 A 1.2 kV 1.5 V 165 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 116En existencias
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Through Hole TO-247-2 Single 10 A 1.7 kV 1.5 V 90 A 200 uA - 55 C + 175 C MSC0 Tube