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QPD0060

Name: Qorvo QPD0060
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0060
Price: 130.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-QPD0060

Fabricante N.º:

QPD0060

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-3.6GHz GaN 90W 48V

Hoja de datos:

QPD0060 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$78.64	$7,864.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-6
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	48 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Kit de desarrollo:	QPD0060PCB4B01
Ganancia:	16.2 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	3.8 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	1.8 GHz
Sensibles a la humedad:	Yes
Potencia de salida:	90 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0060
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Alias de las piezas n.º:	1131037 QPD0060SR

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Hoja de datos

QPD0060 Hoja de datos (PDF)

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD GaN RF Transistors

Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.

GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G

Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub-6GHz 5G provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.