|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP019N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.67
-
1,296En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP019N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,296En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP024N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.50
-
977En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP024N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
977En existencias
|
|
|
$3.50
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.35
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
SCR TAPE13 SCR
- BT300S-600R,118
- WeEn Semiconductors
-
1:
$1.52
-
3,372En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BT300S-600R118
|
WeEn Semiconductors
|
SCR TAPE13 SCR
|
|
3,372En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.425
|
|
|
$0.398
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
SCRs
|
|
SMD/SMT
|
SOT-428-4
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP026N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.17
-
1,676En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP026N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,676En existencias
|
|
|
$4.17
|
|
|
$2.29
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP050N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.96
-
1,172En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP050N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,172En existencias
|
|
|
$2.96
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K0CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.96
-
3,057En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,057En existencias
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.216
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.271
|
|
|
$0.205
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R2K0P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.78
-
9,128En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
9,128En existencias
|
|
|
$0.78
|
|
|
$0.482
|
|
|
$0.312
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.214
|
|
|
$0.162
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPP082N10NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.18
-
1,896En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP082N10NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,896En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.974
|
|
|
$0.84
|
|
|
$0.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP040N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.10
-
1,103En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP040N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,103En existencias
|
|
|
$3.10
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP055N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.50
-
3,000En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP055N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
3,000En existencias
|
|
|
$2.50
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.886
|
|
|
$0.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPP016N08NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.50
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP016N08NF2SAKM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
1,000En pedido
|
|
|
$4.50
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK
- TD570N16KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
2:
$304.61
-
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
-
Próximamente
|
N.º de artículo de Mouser
726-TD570N16KOFXPSA1
Próximamente
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK
|
|
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
|
|
Min.: 2
Mult.: 2
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
144 mm x 60 mm x 52 mm
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT
- PBSS4160PANP-QX
- Nexperia
-
1:
$1.04
-
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
771-PBSS4160PANP-QX
|
Nexperia
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT1118 60V 1A NPN/PNP BJT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.741
|
|
|
$0.461
|
|
|
$0.318
|
|
|
$0.268
|
|
|
$0.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-2020-6
|
|
