STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 8.5V 0.2uA 15kV 8kV BI
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTD HIGH VOLTAGE 1,992En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 300 mOhm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 6.4Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 20A 100V
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics SCR High Temperature 30A SCR in TO-220AB
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SCRs Through Hole TO-220AB-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener 5 Power
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Automotive 30V, dual 3A Power Schottky Rectifier
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Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT TO-277A
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620 V 8.4 A TO-220 TO-22
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano 2nd series IPM, 3-phase inverter, 5 A, 600 V, short-circuit rugged I
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IGBT Modules Si
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-LL-8
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky RECTIFIER
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole I2PAK

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics SCR 4.0 Amp 800 Volt
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SCRs Through Hole TO-220
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.4 Ohm typ 3.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3