STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
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Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)


STMicroelectronics SCR 20 A 600 V Low IGT High Temperature SCR in TO220I
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3,945En existencias
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SCRs
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
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754En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-18
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET
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41En existencias
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MOSFET Modules SiC Press Fit
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II
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2,119En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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4,069En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
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1,605En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
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2,692En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
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2,988En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
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428En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400 W 2.3kW Transil 5V to 70V Uni
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4,046En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
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2,921En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
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20En existencias
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: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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1,671En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
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2,200En existencias
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: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
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4,930En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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6,240En existencias
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
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1,997En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
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2,731En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics Triacs 16 A - 800 V - 150 °C H-series Triac in TO-220AB
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3,606En existencias
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Triacs
STMicroelectronics Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY
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2,608En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16
STMicroelectronics Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
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33En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Uni
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4,029En existencias
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Min.: 1
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: 5,000

SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
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1,019En existencias
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp
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919En existencias
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Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)