STMicroelectronics Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 4kW Transil SMA 5V to 70V Bi
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 18V Unidirect
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores High voltage rectifier for bridge applications
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Rectifiers Through Hole DO-247-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 440 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.28 Ohm SuperMESH3 4.3A
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 4.7 A MDmesh 2nd Gen
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.47 Ohm 9A Mdmesh II PWR MO
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 15 A low-loss M series IGBT in a D2PAK package
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
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1,000En pedido
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3


STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter, 20 A, 600 V short-circuit rugged IGBTs
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IGBT Modules Si
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) High voltage fast-switching NPN power transistor
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6,422En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-223-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
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1,000En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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2,000Se espera el 27/4/2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3ohms Zener SuperMESH 3A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-1.22ohms Zener SuperMESH 4.4
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831En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3