STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Triacs 16A Triacs
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1,576En existencias
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Triacs Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Mlti-lne low cap ESD 4 Line 2.5pF 5V
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10,659En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

SOT-666-6
STMicroelectronics Rectificadores 50 V, 20 A Power FLAT Ultra-Low Vf Field-Effect Rectifier Diode (FERD)
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2,888En existencias
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Min.: 1
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: 3,000

Rectifiers SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V tp 70V BI
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2,438En existencias
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500 W 10kW Transil 5.8V to 70V Bi
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2,008En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000 W 28kW Transil 15V to 33V Uni
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2,475En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 56V Bidirect
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7,263En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 3000W Transil 10V 0.2uA 15kV 8kV BI
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2,463En existencias
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 48V Bidirect
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3,614En existencias
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Min.: 1
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: 2,500

SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
695En existencias
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Min.: 1
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: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
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989En existencias
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
Hoja de datos
2,116En existencias
Min.: 1
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: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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146En existencias
100En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Hoja de datos
784En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
Hoja de datos
546En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
Hoja de datos
1,852En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
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2,384En existencias
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: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
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340En existencias
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: 400

IGBT Modules Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
Hoja de datos
1,861En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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693En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Hoja de datos
968En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
Hoja de datos
374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Hoja de datos
778En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Hi Vltg Pwr SCHOTTKY RECTIFIER
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2,802En existencias
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Mult.: 1
: 1,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky Auto pwr Schottky 10A 45V VRRM 0.57V
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4,358En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)