Ampleon Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
: 1,500

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT QFN-36
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502F-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502A-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT502E-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT502B-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502F-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502A-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502F-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS Screw Mount SOT502A-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1248C-5 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-250/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT502B-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700G/SOT502/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT502B-3 N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200P/SOT539/TRAY Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT539B-5 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1275-1-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/REEL Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1275-1-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1275-1-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/REELDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1258-4-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G16XS-600AVT/SOT1258/TRAYDP Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1258-4-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1275-1-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/REELD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1275-1-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-301AVT/SOT127/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1275-1-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AV/SOT1258/REELD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1258-4-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-360AVT/SOT1258/TRAYD Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1258-4-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1270/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1258-4-7 Dual N-Channel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1258-4-7 Dual N-Channel