|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW50R250CP
- Infineon Technologies
-
1:
$3.67
-
167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CP
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
167En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$2.40
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPS70R1K4P7SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.87
-
29,208En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
29,208En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.655
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.352
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.347
|
|
|
$0.346
|
|
|
$0.308
|
|
|
$0.284
|
|
|
$0.268
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
- SPP20N65C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.77
-
420En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N65C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3
|
|
420En existencias
|
|
|
$4.77
|
|
|
$2.48
|
|
|
$2.26
|
|
|
$2.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.64
-
385En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
385En existencias
|
|
|
$6.64
|
|
|
$4.35
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.85
|
|
|
$2.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R170CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.17
-
984En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
984En existencias
|
|
|
$3.17
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R115CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.31
-
571En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
571En existencias
|
|
|
$5.31
|
|
|
$3.53
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R190CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.57
-
860En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R190CFD7A1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
860En existencias
|
|
|
$4.57
|
|
|
$2.98
|
|
|
$2.33
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R185CFD7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.51
-
3,364En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3,364En existencias
|
|
|
$3.51
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
- IPA65R095C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.25
-
474En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R095C7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
|
|
474En existencias
|
|
|
$7.25
|
|
|
$4.75
|
|
|
$3.49
|
|
|
$3.11
|
|
|
$2.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R190CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.84
-
839En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-B65R190CFD7AATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
839En existencias
|
|
|
$3.84
|
|
|
$2.52
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R060C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.55
-
224En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
224En existencias
|
|
|
$7.55
|
|
|
$6.04
|
|
|
$4.89
|
|
|
$4.34
|
|
|
$3.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
- IPA65R045C7
- Infineon Technologies
-
1:
$11.07
-
180En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
|
|
180En existencias
|
|
|
$11.07
|
|
|
$8.06
|
|
|
$6.71
|
|
|
$5.97
|
|
|
$5.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R180P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.17
-
862En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
862En existencias
|
|
|
$3.17
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.15
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.07
|
|
|
$1.03
|
|
|
$1.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPA95R450P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.88
-
921En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA95R450P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
921En existencias
|
|
|
$2.88
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAN70R360P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.87
-
1,699En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,699En existencias
|
|
|
$1.87
|
|
|
$0.976
|
|
|
$0.784
|
|
|
$0.619
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.537
|
|
|
$0.502
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD95R1K2P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.20
-
2,100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,100En existencias
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.923
|
|
|
$0.732
|
|
|
$0.665
|
|
|
$0.563
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPP65R190CFD7AAKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.49
-
551En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190CFD7AA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
551En existencias
|
|
|
$3.49
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
- IPB60R190C6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.86
-
898En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
|
898En existencias
|
|
|
$3.86
|
|
|
$2.52
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R065S7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.27
-
406En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R065S7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
406En existencias
|
|
|
$6.27
|
|
|
$4.11
|
|
|
$3.03
|
|
|
$2.68
|
|
|
$2.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
- IPP60R125P6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.69
-
500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM
|
|
500En existencias
|
|
|
$4.69
|
|
|
$3.10
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.06
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.91
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD03N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.83
-
2,125En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N60C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,125En existencias
|
|
|
$1.83
|
|
|
$0.809
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.539
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.531
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R650CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.97
-
2,578En existencias
-
2,500En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,578En existencias
2,500En pedido
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.757
|
|
|
$0.506
|
|
|
$0.393
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.304
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW35N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$9.74
-
188En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
188En existencias
|
|
|
$9.74
|
|
|
$7.39
|
|
|
$6.16
|
|
|
$5.48
|
|
|
$5.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
- IPL65R195C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.76
-
2,875En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
|
|
2,875En existencias
|
|
|
$3.76
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R450P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.00
-
3,967En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R450P7SATM1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,967En existencias
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.753
|
|
|
$0.552
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.318
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|