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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R900P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.08
-
19,661En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R900P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
19,661En existencias
|
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$1.08
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$0.672
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$0.44
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$0.339
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$0.238
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Ver
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$0.298
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$0.224
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R085P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.99
-
917En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R085P7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
917En existencias
|
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|
$5.99
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$4.00
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$2.86
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$2.52
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$2.35
|
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|
$2.35
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
- IPL65R230C7
- Infineon Technologies
-
1:
$3.27
-
6,349En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R230C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
6,349En existencias
|
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|
$3.27
|
|
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$2.11
|
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$1.51
|
|
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$1.26
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$1.17
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$1.10
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
- IPW65R110CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$7.21
-
584En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R110CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3
|
|
584En existencias
|
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$7.21
|
|
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$5.33
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$4.31
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$3.82
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$3.39
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
- IPA65R280C6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.26
-
1,423En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R280C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
|
|
1,423En existencias
|
|
|
$3.26
|
|
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$2.11
|
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$1.55
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|
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$1.29
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$1.13
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.26
-
914En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R199CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
914En existencias
|
|
|
$4.26
|
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$2.78
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$2.10
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|
$1.91
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.65
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
5,278En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K7C3AATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE
|
|
5,278En existencias
|
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|
$1.94
|
|
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$1.24
|
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$0.836
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$0.672
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$0.607
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$0.578
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.70
-
918En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
918En existencias
|
|
|
$6.70
|
|
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$4.39
|
|
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$3.24
|
|
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$2.87
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPA60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.95
-
613En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
613En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
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$1.91
|
|
|
$1.41
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
- IPP60R190P6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.20
-
904En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190P6
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM
|
|
904En existencias
|
|
|
$3.20
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.33
|
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|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R024CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R024CM8XTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R037CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R037CM8XTM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
- IPD60R380C6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.24
-
2,690En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R380C6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
|
|
2,690En existencias
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.973
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.736
|
|
|
$0.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
- IPL60R385CP
- Infineon Technologies
-
1:
$1.95
-
2,086En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R385CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A ThinPAK-4 CoolMOS CP
|
|
2,086En existencias
|
|
|
$1.95
|
|
|
$0.957
|
|
|
$0.957
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA06N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$2.58
-
2,284En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA06N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
2,284En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.993
|
|
|
$0.861
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
- IPD50R399CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.09
-
2,219En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R399CPATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 9A DPAK-2
|
|
2,219En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.903
|
|
|
$0.719
|
|
|
$0.669
|
|
|
$0.637
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.86
-
7,647En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K4P7SATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
7,647En existencias
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.533
|
|
|
$0.346
|
|
|
$0.265
|
|
|
$0.192
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.238
|
|
|
$0.187
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPU80R900P7AKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.05
-
1,441En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R900P7AKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,441En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.849
|
|
|
$0.673
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.598
|
|
|
$0.547
|
|
|
$0.526
|
|
|
$0.507
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
- IPB65R660CFDAATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.48
-
918En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R660CFDAATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A D2PAK-2
|
|
918En existencias
|
|
|
$2.48
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.807
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPD60R600P6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.61
-
1,986En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P6ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,986En existencias
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.679
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.487
|
|
|
$0.444
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPP65R115CFD7AAKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.92
-
335En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R115CFD7AAK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
335En existencias
|
|
|
$4.92
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.37
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPL60R365P7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.84
-
4,532En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R365P7AUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
4,532En existencias
|
|
|
$2.84
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.893
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.944
|
|
|
$0.848
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW47N65C3
- Infineon Technologies
-
1:
$19.21
-
274En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
274En existencias
|
|
|
$19.21
|
|
|
$16.33
|
|
|
$7.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP08N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.81
-
853En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
853En existencias
|
|
|
$2.81
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.998
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
- IPD80R2K8CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.48
-
8,754En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K8CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 1.9A DPAK-2
|
|
8,754En existencias
|
|
|
$1.48
|
|
|
$0.934
|
|
|
$0.621
|
|
|
$0.502
|
|
|
$0.457
|
|
|
$0.396
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|