CE7613M4 Serie Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
2,799En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

pHEMT Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Bulk
CEL Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) RF Low Noise FET 4-Pin Flat-lead
Hoja de datos
12,577En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 15,000

Si 12 GHz 14.1 dB 2 V - 400 mV 10 mA - 55 C + 125 C 125 mW SMD/SMT minimold-4 Reel, Cut Tape, MouseReel