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SQJQ112E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJQ112E-T1_GE3
Price: 1.91 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

78-SQJQ112E-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQJQ112E-T1_GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

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	$1.91	$1.91
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	$1.91	$3,820.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerPAK 8 x 8L-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	296 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.53 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	181 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	600 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	16 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	45 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	21 ns
Serie:	SQJQ
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	67 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SQJQ Automotive MOSFETs

Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs are N-Channel TrenchFET® power MOSFETs. These AEC-Q101-qualified MOSFETs are tested at 100% R_g and Unclamped Inductive Switching (UIS). The Vishay / Siliconix SQJQ Automotive MOSFETs offer very low R_DS(on) and operate within -55°C to +175°C temperature range. These automotive-grade MOSFETs are available in a fully lead (Pb) free PowerPAK® 8x8L package with single/dual configurations. Typical applications include automotive, engine management, motor drives/actuators, body systems, and battery management.