|
|
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$503.65
-
12En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
12En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$509.58
-
8En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
8En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$497.72
-
13En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
|
|
13En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
- FF4MR20KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$541.44
-
4En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF4MR20KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
|
|
4En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF5MR20KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$373.69
-
9En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF5MR20KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
9En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
- FF5MR20KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$355.48
-
17En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF5MR20KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos MOSFET 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
|
|
17En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
- FF6MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$257.49
-
10En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF6MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
- FF6MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$242.20
-
46En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF6MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos MEDIUM POWER 62MM
|
|
46En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$16.71
-
1,131En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R015M2HXTM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,131En existencias
|
|
|
$16.71
|
|
|
$13.61
|
|
|
$11.34
|
|
|
$10.78
|
|
|
$9.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R015M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$16.55
-
660En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R015M2HXKSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
660En existencias
|
|
|
$16.55
|
|
|
$10.26
|
|
|
$10.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.71
-
460En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R040M2HXKSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
460En existencias
|
|
|
$8.71
|
|
|
$5.11
|
|
|
$4.79
|
|
|
$4.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R015M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$18.71
-
971En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R015M2HXKS
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
971En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
- IDK20G120C5XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.64
-
4,545En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDK20G120C5XTMA1
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DISCRETE
|
|
4,545En existencias
|
|
|
$7.64
|
|
|
$6.12
|
|
|
$4.95
|
|
|
$4.54
|
|
|
$3.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDD03SG60CXTMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.23
-
3,992En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDD03SG60CXTMA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
3,992En existencias
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.972
|
|
|
$0.776
|
|
|
$0.735
|
|
|
$0.698
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDH10SG60CXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$5.55
-
595En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDH10SG60CXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
595En existencias
|
|
|
$5.55
|
|
|
$2.91
|
|
|
$2.66
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R020M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$17.32
-
734En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R020M1HXUM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
734En existencias
|
|
|
$17.32
|
|
|
$14.10
|
|
|
$11.75
|
|
|
$10.47
|
|
|
$9.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R060M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.80
-
522En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R060M1HXUM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
522En existencias
|
|
|
$7.80
|
|
|
$6.25
|
|
|
$5.05
|
|
|
$4.49
|
|
|
$3.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R090M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.12
-
698En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMDQ75R090M1HXUM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
698En existencias
|
|
|
$7.12
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.83
|
|
|
$3.40
|
|
|
$3.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
750
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.21
-
434En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
434En existencias
|
|
|
$7.21
|
|
|
$4.17
|
|
|
$3.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R039M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.68
-
567En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R039M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
567En existencias
|
|
|
$9.68
|
|
|
$6.83
|
|
|
$5.69
|
|
|
$5.07
|
|
|
$4.74
|
|
|
$4.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R048M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.33
-
361En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R048M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
361En existencias
|
|
|
$8.33
|
|
|
$6.66
|
|
|
$5.39
|
|
|
$4.79
|
|
|
$4.67
|
|
|
$4.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R057M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.35
-
497En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R057M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
497En existencias
|
|
|
$7.35
|
|
|
$5.89
|
|
|
$4.76
|
|
|
$4.23
|
|
|
$4.11
|
|
|
$3.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R072M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.11
-
10,172En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R072M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
10,172En existencias
|
|
|
$7.11
|
|
|
$4.95
|
|
|
$3.63
|
|
|
$3.34
|
|
|
$3.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R083M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.09
-
1,934En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R083M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,934En existencias
|
|
|
$7.09
|
|
|
$4.71
|
|
|
$3.81
|
|
|
$3.39
|
|
|
$3.00
|
|
|
$3.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMT65R107M1HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.13
-
1,644En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-MT65R107M1HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1,644En existencias
|
|
|
$7.13
|
|
|
$4.67
|
|
|
$3.44
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.71
|
|
|
$2.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|