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TK290P60Y,RQ

Name: Toshiba TK290P60Y,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK290P60YRQ
Price: 2.88 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TK290P60YRQ

Fabricante N.º:

TK290P60Y,RQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A

Hoja de datos:

TK290P60Y,RQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$0.99	$1,980.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	290 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	25 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DTMOSV
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	25 ns
Serie:	TK290P60Y
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	170 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	65 ns
Peso de la unidad:	360 mg

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Test/Quality Data

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance R_DS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of R_DS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.