Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

SCT4036DEC11

Name: ROHM Semiconductor SCT4036DEC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4036DEC11
Price: 13.38 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

755-SCT4036DEC11

Fabricante N.º:

SCT4036DEC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFETs de SiC Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

SCT4036DEC11 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre ROHM Semiconductor SCT4036DEC11

En existencias: 439

Existencias:: 439 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$13.38	$13.38
	$8.12	$81.20
	$7.80	$780.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	72 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	136 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	11 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	10 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	SiC Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	28 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SCT4036DEC11 Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [R_DS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (I_D) and source current (I_S) (T_C=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.