PJQ5528-AU_R2_002A1

Panjit
241-PJQ5528AUR2002A1
PJQ5528-AU_R2_002A1

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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En existencias: 2,585

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Cantidad Precio unitario
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$0.417 $417.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.368 $1,104.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Panjit
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5060-8
N-Channel
1 Channel
30 V
61 A
6 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
11 nC
- 55 C
+ 175 C
31.3 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
Marca: Panjit
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 7 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 2 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 20 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 9 ns
Alias de las piezas n.º: PJQ5528
Peso de la unidad: 80 mg
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT PJQx 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with logic level gate drive in a DFN5060X-8L and DFN3333-8L packages. These MOSFETs feature low on−resistance (RDS(on)), excellent Figure Of Merit (FOM), and ±20 gate-source voltage. The PJQx 30V N-Channel MOSFETs are AEC-Q101 qualified and are lead-free in compliance with EU RoHS 2.0 standards. These MOSFETs are ideal for automotive applications.