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PJQ4439EP_R2_00201

Name: Panjit PJQ4439EP_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ4439EPR200201
Price: 0.19 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

241-PJQ4439EPR200201

Fabricante N.º:

PJQ4439EP_R2_00201

Fabricante:

Panjit

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Standard Trench MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

PJQ4439EP_R2_00201 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Panjit
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DFN-3333-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	22 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2.1 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Panjit
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	40 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	36 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns
Alias de las piezas n.º:	PJQ4439EP
Peso de la unidad:	30.495 mg

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PJQ4439EP_R2_00201 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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