MR0A08BCYS35R

Everspin Technologies
936-MR0A08BCYS35R
MR0A08BCYS35R

Fabricante:

Descripción:
Memoria RAM magnetorresistiva 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel Memoria RAM magnetorresistiva

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
27 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1500   Múltiples: 1500
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$18.76 $28,140.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Everspin Technologies
Categoría de producto: Memoria RAM magnetorresistiva
RoHS:  
TSOP-II-44
Parallel
1 Mbit
128 k x 8
8 bit
35 ns
3 V
3.6 V
25 mA, 55 mA
- 40 C
+ 85 C
MR0A08B
Reel
Marca: Everspin Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Dp - Disipación de potencia : 600 mW
Tipo de producto: MRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Memory & Data Storage
Nombre comercial: Parallel I/O (x8)
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320312
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8471600499
ECCN:
EAR99

Everspin MRAM


MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.