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MASTERGAN3TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN3TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN3TR
Price: 6.43 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-MASTERGAN3TR

Fabricante N.º:

MASTERGAN3TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Controladores de puertas High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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$-.--

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$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$6.43	$6.43
	$5.12	$51.20
	$4.82	$120.50
	$4.53	$453.00
	$3.47	$3,470.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$3.28	$9,840.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	Half-Bridge Drivers
Tipo:	High-Side, Low-Side
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-31
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	4 Output
Corriente de salida:	4 A, 6.5 A
Voltaje de alimentación - Mín.:	4.75 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	9.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	MASTERGAN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	GaN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers

STMicroelectronics MASTERGAN GaN Half-Bridge High Voltage Drivers implement a high-power-density power supply with the integration of both a gate driver and two enhancement-mode GaN transistors in a half-bridge configuration. The integrated power GaNs feature an R_DS(ON) of 150mΩ and a 650V drain-source breakdown voltage. The integrated bootstrap diode can quickly supply the high side of the embedded gate driver.