MAPC-A3009-AB000

MACOM
937-MAPC-A3009-AB000
MAPC-A3009-AB000

Fabricante:

Descripción:
GaN FETs Transistor, DC-4.0GHz, 50W, G28V5

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Precio unitario:
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Precio ext.:
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$583.35 $5,833.50

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
MACOM
Categoría de producto: GaN FETs
Alertas de entrega:
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RoHS:  
SMD/SMT
440223
1 Channel
84 V
6 A
- 10 V, + 2 V
- 40 C
+ 85 C
Marca: MACOM
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Ganancia: 14.2 dB
Frecuencia de trabajo máxima: 4 GHz
Frecuencia de trabajo mínima: 0 Hz
Potencia de salida: 48.6 dBm
Tipo de producto: GaN FETs
Cantidad de empaque de fábrica: 1
Subcategoría: Transistors
Tipo: GaN on SiC Transistor
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.

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