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IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Name: ISSI IS66WVR8M8FBLL-104NLI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVR8M8FBLL104NLI
Price: 5.26 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

870-WVR8M8FBLL104NLI

Fabricante N.º:

IS66WVR8M8FBLL-104NLI

Fabricante:

ISSI

Descripción:

DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS

Ciclo de vida:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ISSI
Categoría de producto:	DRAM
RoHS:
Tipo:	PSRAM (Pseudo SRAM)
Tamaño de memoria:	64 Mbit
Ancho de bus de datos:	8 bit
Frecuencia de reloj máxima:	104 MHz
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Organización:	8 M x 8
Tiempo de acceso:	7 ns
Voltaje de alimentación - Mín.:	2.7 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Marca:	ISSI
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Tipo de producto:	DRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.:	15 mA

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320002
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.