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IF170AST3

Name: InterFET IF170AST3
Brand: InterFET
SKU: 106-IF170AST3
Price: 3.78 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

106-IF170AST3

Fabricante N.º:

IF170AST3

Fabricante:

InterFET

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET N-Channel -30V Low Noise

Hoja de datos:

IF170AST3 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$3.78	$3.78
	$2.47	$24.70
	$1.92	$192.00
	$1.61	$805.00
	$1.40	$1,400.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	InterFET
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 30 V
Voltaje de corte puerta-fuente:	- 2 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	6.5 mA
Id - Corriente de drenaje continua:	10 mA
Dp - Disipación de potencia :	300 mW
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 135 C
Serie:	IF170A
Empaquetado:	Bulk
Marca:	InterFET
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Transconductancia hacia delante - Mín.:	14 mS
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

IF170AST3 Hoja de datos (PDF)

Models

IF170AST3 Symbol & Footprint by SnapMagic

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

IF170x N-Channel JFETs

InterFET IF170x N-Channel JFETs are designed for sensitive amplifier stages for mid-frequencies designs. These JFETs feature 1nV/√Hz typical low noise voltage, 22mS typical high gain, -30V reverse gate-source and gate-drain voltage, and 750fA typical @10V low gate leakage. The IF170x n-channel JFETs offer high radiation tolerance and a -65°C to 175°C operating junction temperature range. These JFETs are RoHS, REACH, and CMR compliant and available in SMT, TH, and bare die packages. Typical applications include amplifiers, oscillators, voltage regulators, noise generators, satellites, medical, signal mixers, headphone amplifiers, audio filters, ultrasound equipment, communications, medical imaging systems, and military.