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FM25V10-DG

Name: Infineon FM25V10-DG
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V10-DG
Price: 17.34 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

727-FM25V10-DG

Fabricante N.º:

FM25V10-DG

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

F-RAM FRAM

Hoja de datos:

FM25V10-DG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$17.34	$17.34
	$16.09	$160.90
	$15.58	$389.50
	$15.21	$760.50
	$14.83	$1,483.00
	$14.14	$3,535.00
	$13.51	$4,998.70
1,110	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	F-RAM
RoHS:
Tamaño de memoria:	1 Mbit
Tipo de interfaz:	SPI
Frecuencia de reloj máxima:	25 MHz, 40 MHz
Organización:	128 k x 8
Paquete / Cubierta:	DFN-8
Voltaje de alimentación - Mín.:	2 V
Voltaje de alimentación - Máx.:	3.6 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Serie:	FM25V10-G
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Sensibles a la humedad:	Yes
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Voltaje de alimentación operativo:	2 V to 3.6 V
Tipo de producto:	FRAM
Cantidad de empaque de fábrica:	370
Subcategoría:	Memory & Data Storage

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CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.