Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

Volver a resultados de la búsqueda

¿Vé algún error?

DXTN80030DFGQ-7

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

621-DXTN80030DFGQ-7

Fabricante N.º:

DXTN80030DFGQ-7

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

DXTN80030DFGQ-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diodes Incorporated DXTN80030DFGQ-7

Restricción de entrega:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerVDFN-8
Polaridad del transistor:	NPN
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	30 V
Tensión VCBO colector-base:	80 V
Voltaje VEBO emisor-base:	8 V
Voltaje de saturación colector-emisor:	120 mV
Dp - Disipación de potencia :	2.4 W
Producto para ganar Ancho de banda fT:	130 MHz
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Calificación:	AEC-Q101
Serie:	DXTN
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Corriente continua del colector:	10 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Máx. ganancia de CC hFE:	550 at 100 mA
Tipo de producto:	BJTs - Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DXTN80030DFGQ-7 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

DXTN80x NPN Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolar Transistors offer a small form factor, thermally efficient PowerDI^® 3333-8 package, allowing higher-density end products. The devices supply a >30V, 60V, or 100V collector-emitter voltage and a >8V emitter-base voltage. The DXTN80x is ideal for high-temperature environments, with a temperature rating of +175°C. The Diodes Inc. DXTN80x NPN bipolar transistors are excellent for motors, solenoids, relays, and actuator driver controls.

DXTN/P 78Q & 80Q Bipolar Transistors

Diodes Incorporated DXTN/P 78Q and 80Q Bipolar Transistors offer 30V, 60V, and 100V ratings, deliver exceptional conduction efficiency and thermal performance for demanding automotive power switching and control. The ultra-low V_CE(SAT) NPN and PNP bipolar transistors are ideal for 12V, 24V, and 48V systems, supporting applications such as MOSFET and IGBT gate driving, load switching, LDO regulation, DC-DC conversion, and motor/actuator control.