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C3M0032120K

Name: Wolfspeed C3M0032120K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0032120K
Price: 13.26 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

941-C3M0032120K

Fabricante N.º:

C3M0032120K

Fabricante:

Wolfspeed

Descripción:

MOSFETs de SiC 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

Hoja de datos:

C3M0032120K Hoja de datos

Modelo ECAD:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Wolfspeed
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	63 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	32 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.6 V
Qg - Carga de puerta:	118 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	283 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Wolfspeed
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	18 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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