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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
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4,481En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
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1,755En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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1,163En existencias
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STMicroelectronics Conversores CA/DC Offline PWM controller for low standby adapters
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1,228En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
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4,046En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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7,920En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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3,605En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
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5,407En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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2,662En existencias
2,500En pedido
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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4,840En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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3,053En existencias
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STMicroelectronics Herramientas de desarrollo del sensor de posición Wi-Fi expansion for the SensorTile Wireless Industrial Node (STWIN) kit
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236En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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1,637En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,723En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
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1,014En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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1,984En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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1,811En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
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1,487En existencias
1,952En pedido
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STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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5,277En existencias
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STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
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7,090En existencias
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STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
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2,210En existencias
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STMicroelectronics IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
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5,701En existencias
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STMicroelectronics IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
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1,800En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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705En existencias
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
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377En existencias
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