NVMFD016N06CT1G

onsemi
863-NVMFD016N06CT1G
NVMFD016N06CT1G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
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$1.94 $19.40
$1.34 $134.00
$1.12 $560.00
$1.08 $1,080.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1500)
$1.04 $1,560.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
Reel
Cut Tape
Marca: onsemi
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: MY
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: NVMFD016N06C
Cantidad de empaque de fábrica: 1500
Subcategoría: Transistors
Peso de la unidad: 161.193 mg
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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.