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NCP5106ADR2G

Name: onsemi NCP5106ADR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCP5106ADR2G
Price: 1.22 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NCP5106ADR2G

Fabricante N.º:

NCP5106ADR2G

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Controladores de puertas HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR

Hoja de datos:

NCP5106ADR2G Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.22	$1.22
	$0.887	$8.87
	$0.803	$20.08
	$0.711	$71.10
	$0.666	$166.50
	$0.64	$320.00
	$0.618	$618.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.594	$1,485.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Controladores de puertas
RoHS:
Producto:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Tipo:	Half-Bridge
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Número de controladores:	2 Driver
Número de salidas:	2 Output
Corriente de salida:	500 mA
Voltaje de alimentación - Mín.:	- 300 mV
Voltaje de alimentación - Máx.:	20 V
Tiempo de subida:	85 ns
Tiempo de caída:	35 ns
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	NCP5106
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Corriente de suministro operativa:	5 mA
Dp - Disipación de potencia :	178 W
Tipo de producto:	Gate Drivers
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	PMIC - Power Management ICs
Tecnología:	Si
Peso de la unidad:	540 mg

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NCP5106ADR2G Hoja de datos

PCN

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 8542390990
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

NCP5106 & NCP5109 High Voltage Side Drivers

onsemi NCP5106 and NCP5109 High Voltage Side Drivers provide two outputs for direct drive of two N-channel power MOSFETs or Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) arranged in a half-bridge configuration. These high voltage, high, and low side drivers feature a dV/dt immunity of 50 volts per nanosecond (V/ns) and are 3.3V and 5V input logic compatible. These devices use the bootstrap technique to ensure a proper drive of the High Side power switch and provide a rugged design.