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SSM6K781G,LF

Name: Toshiba SSM6K781G,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K781GLF
Price: 0.76 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-SSM6K781GLF

Fabricante N.º:

SSM6K781G,LF

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

Hoja de datos:

SSM6K781G,LF Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.76	$0.76
	$0.473	$4.73
	$0.305	$30.50
	$0.233	$116.50
	$0.209	$209.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.171	$513.00
	$0.159	$954.00
	$0.158	$1,422.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	WCSP6C-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14.4 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Qg - Carga de puerta:	5.4 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.6 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	U-MOSVII-H
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TW
Sensibles a la humedad:	Yes
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	SSM6K
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	1.400 mg

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Hoja de datos

SSM6K781G,LF Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Surface Mount Small Signal MOSFET Precautions For Use

Models

PCN

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.