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CSD17578Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17578Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17578Q3AT
Price: 1.92 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17578Q3AT

Fabricante N.º:

CSD17578Q3AT

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17578Q3A

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.92	$1.92
	$1.23	$12.30
	$0.718	$71.80
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
	$0.718	$179.50
	$0.618	$309.00
	$0.566	$566.00

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17578Q3A

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$0.92

Mín.:

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Texas Instruments

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CSD17578Q3A

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSONP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	8.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	7.9 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	37 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	48 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	CSD17578Q3A
Cantidad de empaque de fábrica:	250
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	13 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	2 ns
Peso de la unidad:	27.400 mg

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Models

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SPICE Models

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.