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CSD17556Q5B

Name: Texas Instruments CSD17556Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17556Q5B
Price: 3.11 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

595-CSD17556Q5B

Fabricante N.º:

CSD17556Q5B

Fabricante:

Texas Instruments

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Powe r Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) A 595-CSD A 595-CSD17556Q5BT

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$3.11	$3.11
	$2.02	$20.20
	$1.40	$140.00
	$1.18	$590.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$1.10	$2,750.00

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Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

CSD17556Q5BT

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$3.76

Mín.:

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Fabricante:

Texas Instruments

Fabricante N.º:

CSD17556Q5BT

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17556Q5B

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Texas Instruments
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	VSON-CLIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	100 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	28.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	3.1 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	NexFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Texas Instruments
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	PH
País de difusión:	CN
País de origen:	CH
Tiempo de caída:	12 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	197 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	26 ns
Serie:	CSD17556Q5B
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	27 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	14 ns
Peso de la unidad:	134.700 mg

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SPICE Models

CSD17556Q5B PSpice Model (Rev. A)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.