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TSM2318CX RFG

Name: Taiwan Semiconductor TSM2318CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM2318CXRFG
Price: 1.05 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

821-TSM2318CXRFG

Fabricante N.º:

TSM2318CX RFG

Fabricante:

Taiwan Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos:

TSM2318CX RFG Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.05	$1.05
	$0.655	$6.55
	$0.428	$42.80
	$0.331	$165.50
	$0.30	$300.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.259	$777.00
	$0.245	$1,470.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Taiwan Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-23-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	3.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	36 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	10 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1.25 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Taiwan Semiconductor
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5 ns
Peso de la unidad:	8 mg