GP3D008A065F

Name: SemiQ GP3D008A065F
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP3D008A065F
Price: 2.7 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

148-GP3D008A065F

Fabricante N.º:

GP3D008A065F

Fabricante:

SemiQ

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220-2L-FP

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

GP3D008A065F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	SemiQ
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-2L
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	8 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	650 V
Vf - Tensión directa:	1.61 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	74 A
Ir - Corriente inversa:	9 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	SemiQ
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Dp - Disipación de potencia :	36 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	650 V

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SiC Schottky Discrete Diodes

SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes feature near-zero switching loss and reduced heat dissipation, increasing efficiency and requiring smaller heatsinks. The SiC Schottky Discrete Diodes are easy to parallel with fast, temperature-independent switching. The SemiQ SiC Schottky Discrete Diodes are designed for solar inverters, power supplies, motor drives, and charging station applications.